[发明专利]一种消除闪存编程干扰的电路有效
| 申请号： | 201811198901.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109473140B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 胡剑;杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd‑Vt，通过本发明，可消除NORD cell的编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 闪存 编程 干扰 电路 | ||
【主权项】：
1.一种消除闪存编程干扰的电路，包括：窄脉冲产生电路，用于产生一宽度为τ的正向窄脉冲；窄脉冲输出电路，用于根据所述窄脉冲产生电路的输出产生宽度为τ的正向窄脉冲和负向窄脉冲，即编程预充电窄脉冲PROGDR_P和编程许可窄脉冲PROGEN_P；位线充电电路，用于在所述编程预充电窄脉冲PROGDR_P的宽度为τ的正向窄脉冲的控制下打开NMOS管以将对应的位线快速预充电至Vdd‑Vt，其中，Vdd为电源电压，Vt为NMOS管的阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811198901.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
