[发明专利]等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和程序有效
申请号: | 201811183235.3 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109659216B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 斋藤祐介;大岩德久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供等离子体处理装置、聚焦环的升降控制方法和聚焦环的升降控制程序。第一载置台(2)用于载置作为等离子体处理对象的晶片(W)。升降机构(120)使载置于晶片(W)周围的聚焦环(5)升降。获取部获取通过测定晶片(W)的状态而得的状态信息。计算部基于获取的状态信息所表示的晶片(W)的状态,计算使晶片(W)的上表面与聚焦环(5)的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的聚焦环(5)的高度。升降控制部控制升降机构(120),使聚焦环5成为计算出的高度。由此,能够抑制对被处理体进行等离子体处理的均匀性降低。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 聚焦 升降 控制 方法 程序 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征所在于,包括:用于载置作为等离子体处理对象的被处理体的载置台;使载置于所述被处理体的周围的聚焦环升降的升降机构;获取部,其获取通过测定所述被处理体的状态而得的状态信息;计算部,其基于由所述获取部获取的状态信息所表示的所述被处理体的状态,计算使所述被处理体的上表面与所述聚焦环的上表面的位置关系成为预先设定的距离间隔的所述聚焦环的高度;和升降控制部,其控制所述升降机构,使所述聚焦环成为由所述计算部计算出的高度。
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