[发明专利]一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法有效
| 申请号： | 201811166608.6 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109411606B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 于军胜;侯思辉;庄昕明;王啸林 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;G01N27/414 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 蒋秀清;李春芳 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜制备工艺以及涉及该工艺的气体传感器制备方法，涉及传感器制备技术领域。本发明采用的薄膜制备工艺，集旋涂‑喷涂工艺于一体，将传统的旋涂工艺和喷涂工艺相结合后同时具有旋涂工艺成膜均匀和喷涂工艺调控形貌等优点，在形貌调控的同时保证了薄膜的均一性，雾化的溶液液滴一接触基板立即被旋涂，解决了溶液法薄膜制备过程中上层溶剂对下层薄膜的侵蚀，形成均匀性更好的薄膜，同时无数液滴的独立旋涂使得有机半导体层产生更多的晶界，有效增强了待测气体与有机半导体的相互作用，实现器件对待测气体的高灵敏度探测，同时更多的晶界利于气体的扩散，提高了器件的回复特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 工艺 以及 涉及 气体 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜制备工艺，其特征在于，制备的溶液经由喷嘴垂直喷射到旋转的基片表面，喷嘴喷射的速率范围为10～100μL/s，基片旋转的转速范围为1000～5000rad/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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