[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811154668.6 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300782A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 康俊龙;成鑫华;郝艳霞;尹俊;聂广宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成栅氧化层；对栅氧化层表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；以及，对栅氧化层进行氘气退火工艺，以采用氘气退火工艺填补界面层的“悬挂”键，从而改善衬底与栅氧化层之间的界面层的“悬挂”键。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 退火工艺 栅氧化层 界面层 对栅 氘气 半导体 半导体集成电路制造 氧化层表面 悬挂 激光处理 快速退火 氧化层 制造 激光 填补 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底；S2：在半导体衬底上形成栅氧化层；S3：对栅氧化层表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；以及S4：对栅氧化层进行氘气退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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