[发明专利]堆叠环栅鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201811146243.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970300B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种堆叠环栅鳍式场效应管的形成方法，包括以下步骤：提供鳍片，所述鳍片具有沟道层和牺牲层的交替结构；露出所述鳍片沿其延伸方向的端面；沿所述端面对所述沟道层中进行浅掺杂漏注入；对经过所述浅掺杂漏注入后的所述沟道层进行杂质离子掺杂；形成与所述沟道层耦合的源漏外延结构。沟道层经杂质离子注入后，不仅能够防止原掺杂离子与间隙原子形成掺杂缺陷簇，修复沟道的损伤，还能够防止后续形成高浓度掺杂的源漏结构中的掺杂离子向沟道层中的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠 环栅鳍式 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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