[发明专利]一种防漏光全局像素单元的结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种防漏光全局像素单元的结构，在传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，金属掩蔽层在存储节点上方形成金属掩蔽层开口；存储节点之上连接设有穿过金属掩蔽层开口的第一接触孔，传输管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第二接触孔，复位管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第三接触孔，第一接触孔至第三接触孔的上端连接后道第一层金属互连层，并与后道第一层金属互连层共同形成一复合挡光结构，将第一接触孔与金属掩蔽层开口之间存在的漏光间隙遮蔽，可保证存储电容中信号的准确性，避免输出信号的失真。本发明还公开了一种防漏光全局像素单元的结构的形成方法。

主权项

1.一种防漏光全局像素单元的结构，其特征在于，包括设于衬底上的光电二极管、传输管和复位管，以及形成于传输管栅极和复位管栅极之间的所述衬底中的存储节点；所述传输管栅极表面、复位管栅极表面和存储节点表面上覆盖有金属掩蔽层，且所述金属掩蔽层在所述存储节点上方形成金属掩蔽层开口；所述存储节点之上连接设有穿过金属掩蔽层开口的第一接触孔，所述传输管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第二接触孔，所述复位管栅极的金属掩蔽层之上隔离设有第三接触孔，所述第一接触孔至第三接触孔的上端连接后道第一层金属互连层，并与所述后道第一层金属互连层共同形成一复合挡光结构，将所述第一接触孔与金属掩蔽层开口之间存在的漏光间隙遮蔽。