[发明专利]显示器的像素结构在审
| 申请号： | 201811139431.0 | 申请日： | 2018-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109001940A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王超;梅新东 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种显示器的像素结构，包含：一第一像素区域；及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接；其中所述第一像素区域具有一第一直流残留电场，所述第二像素区域具有一第二直流残留电场，所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反。本发明通过电极结构的交替设计，以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 像素区域 直流残留 像素结构 显示器 绝缘层 残余离子 电极结构 方向相反 电极 残像 | ||
【主权项】：
1.一种显示器的像素结构，其特征在于：所述像素结构包含：一第一像素区域，所述像素结构在所述第一像素区域中包含：一第一电极；一绝缘保护层，设置于所述第一电极上；一第二电极，设置于所述绝缘保护层上；及一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接，所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层，其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上，所述第一电极设置于所述绝缘保护层上，及所述绝缘层设置于所述第一电极上；其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性，在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性，所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反，所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。
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