[发明专利]显示器的像素结构在审

专利信息
申请号: 201811139431.0 申请日: 2018-09-28
公开(公告)号: CN109001940A 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 王超;梅新东 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337;G02F1/1343
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电场 像素区域 直流残留 像素结构 显示器 绝缘层 残余离子 电极结构 方向相反 电极 残像
【说明书】:

发明公开一种显示器的像素结构,包含:一第一像素区域;及一第二像素区域,与所述第一像素区域相邻接;其中所述第一像素区域具有一第一直流残留电场,所述第二像素区域具有一第二直流残留电场,所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反。本发明通过电极结构的交替设计,以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。

技术领域

本发明是有关于一种显示器的像素结构,特别是有关于一种优化残像的显示器的像素结构。

背景技术

近年来,随着显示技术的创新及发展,显示器的应用场景也越来越多样化。一些需要长时间显示静态画面的应用场景中,在显示器切换画面时会出现残像(Image-sticking)现象,影响显示效果及消费者的观感。残像现象产生的主要原因是由于液晶显示器驱动电路中的薄膜晶体管(TFT)存在寄生电容。若长时间保持液晶上下极板电压大小不变,液晶分子中残留的可移动离子在同一方向电场中容易聚集在分子的同一侧,形成内电场,当液晶显示器的画面由高灰阶切换到低灰阶时,所述内电场与液晶上下极板的电场相互抵消,使得液晶无法达到预期的偏转角度,最终产生残像现象。液晶面板的寄生电容受到制程结构的限制、绝缘层沉积的厚度、电阻不同会造成寄生电容的不同,制程上不容易改善。

现有技术中,液晶显示器的显示画面的闪烁(Flicker)值可以作为衡量当前直流残留效应是否严重的标准。其原因是交流驱动的正负极电压与公共电极电压的压差不相等,若数据线进行极性反转,则使得画面亮度发生变化进而使得画面闪烁,其中,画面闪烁程度的大小取决于闪烁值的大小,因此,闪烁值越大直流残留效应越严重。可以藉由闪烁讯号最小化以调整适当的驱动参数电压,减少面板累积的残存电荷进而改善残像的问题。另外液晶面板仍会因为制程误差的漂移,使得液晶面板间的负载出现差异,造成液晶面板会出现不同的馈通电压,若使用已知的公共电压调整,会出现闪烁不均的现象。另外,已知采用可变电阻调整公共电压的方式,需要依赖操作人员目视来调整闪烁。但操作人员对闪烁的敏感度并不同,造成判断闪烁的品管标准不同,且操作人员的调整会花费很多人力成本,造成效能及品质不均且成本高昂。

故,有必要提供一种显示器的像素结构,以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种显示器的像素结构,以解决现有技术所存在的液晶显示器中存在寄生电容造成残像现象的问题。

本发明的主要目的在于提供一种显示器的像素结构,其可以改善残像现象的问题。

本发明的次要目的在于提供一种显示器的像素结构,其可以通过公共电极与像素电极结构的交替设计,以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。

为达成本发明的前述目的,本发明一实施例提供一种显示器的像素结构,包含:一第一像素区域,所述像素结构在所述第一像素区域中包含:一第一电极;一绝缘保护层,设置于所述第一电极上;一第二电极,设置于所述绝缘保护层上;及一绝缘层,设置于所述第二电极上;以及一第二像素区域,与所述第一像素区域相邻接,所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层,其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上,所述第一电极设置于所述绝缘保护层上,及所述绝缘层设置于所述第一电极上;其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性,在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性,所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反,所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和。

在本发明的一实施例中,所述第一离子极性为负,及所述第二离子极性为正。

在本发明的一实施例中,所述第一电极为一公共电极,及所述第二电极为一像素电极。

在本发明的一实施例中,在所述第一像素区域中的所述绝缘层与所述第二电极相接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811139431.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top