[发明专利]图像传感器、减少发光二极管闪烁的方法及成像系统

摘要

一种图像传感器、减少发光二极管闪烁的方法及成像系统。电压产生器提供转移栅极电压到转移晶体管。转移栅极电压是转移通态电压、转移断态电压或撇取电压。转移晶体管转移在光电二极管上产生的电荷到浮动扩散。转移栅极上的电压控制从光电二极管转移到浮动扩散的电荷量。复位晶体管将光电二极管和浮动扩散预充电到电源电压。第一启用晶体管控制从浮动扩散转移到第一电容器的电荷量。第二启用晶体管控制从浮动扩散转移到第二电容器的电荷量。第一和第二启用晶体管在激活后接收其单独的周期性控制脉冲。将在第一和第二电容器上收集的电荷转移到浮动扩散。源极跟随器晶体管放大浮动扩散上呈现的电压。行选择晶体管发送放大电压到位线以用于信号读出。

主权项

1.一种具有高动态范围(HDR)以及减少的发光二极管(LED)闪烁的撇取光电二极管图像传感器，其特征在于，包括：转移晶体管(220)，耦合成将产生的电荷从互补型金属氧化物半导体(CMOS)光电二极管(PD)(202)转移到浮动扩散(FD)(230)；电压产生器(210)，耦合成从控制电路(104)接收选择信号(214)以及将转移栅极电压(222)提供到所述转移晶体管(220)，其中所述选择信号(214)选择所述转移栅极电压成为转移通态电压VHI、转移断态电压VLO以及撇取电压VSK中的一个；复位晶体管(240)，耦合成在复位栅极电压(242)的控制下通过电压源VRFD(244)将复位电压引入到所述浮动扩散(230)，其中所述复位栅极电压(242)由所述控制电路(104)控制，其中所述VRFD(244)是由所述控制电路(104)的VSEL(239)控制的可编程电压，其中VRFD(244)在AVDD(232)与HIVDD(236)的两个值之间进行选择，其中HIVDD是比AVDD更高的电位；源极跟随器晶体管(SF)(250)，耦合成在其栅极处接收所述浮动扩散(230)的电压以及在其源极处提供放大电压(254)；行选择晶体管(RS)(260)，耦合成接收所述源极跟随器晶体管的源极处的所述放大电压(254)以及在行选择晶体管栅极电压(262)的控制下将这一电压提供到位线(264)，其中所述行选择晶体管栅极电压(262)由所述控制电路(104)控制，以及位线(264)连接到读出电路(106)；第一启用晶体管(270)，耦合成启用从所述浮动扩散(230)到第一电容器(276)的电荷转移，其中所述第一启用晶体管(270)的第一电荷启用信号(272)由所述控制电路(104)控制；以及第二启用晶体管(280)，耦合成启用从所述浮动扩散(230)到第二电容器(286)的电荷转移，其中所述第二启用晶体管(280)的第二电荷启用信号(282)由所述控制电路(104)控制。