[发明专利]一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法在审
| 申请号： | 201811136683.8 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109326652A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;徐浩然;王倩倩;杜琛 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，制备方法包括如下步骤：步骤一，采用硅材料形成衬底(1)；步骤二，在衬底(1)上生长形成二氧化硅绝缘层(2)；步骤三，在所述的二氧化硅绝缘层(2)上覆盖一层二维材料(3)；步骤四，激光加热所述二维材料(3)两端，使得二维材料的两端氧化并转变为具有金属特性的氧化物(4)；步骤五，在两端的氧化物(4)上分别生长形成源电极(5)和漏电极(6)；步骤六，在衬底(1)下方生长形成背电极(7)。与现有技术相比，本发明中金属氧化物和TMDC材料之间的接触势垒高度降低，接触电阻减小，使得器件的迁移率及驱动电流提高。 | ||
| 搜索关键词： | 二维材料 衬底 制备 二氧化硅绝缘层 局部加热 氧化物 生长 激光 金属氧化物 高度降低 激光加热 接触电阻 接触势垒 金属特性 驱动电流 背电极 硅材料 漏电极 迁移率 源电极 减小 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种激光局部加热制备P型二维材料MOSFET的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，采用硅材料形成衬底(1)；步骤二，在衬底(1)上生长形成二氧化硅绝缘层(2)；步骤三，在所述的二氧化硅绝缘层(2)上覆盖一层二维材料(3)；步骤四，激光加热所述二维材料(3)两端，使得二维材料的两端氧化并转变为具有金属特性的氧化物(4)；步骤五，在两端的氧化物(4)上分别生长形成源电极(5)和漏电极(6)；步骤六，在衬底(1)下方生长形成背电极(7)。
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