[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811132823.4 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109599339B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 孙旭昌;陈科维;陈亮光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括在衬底上形成第一栅极结构，其中第一栅极结构由第一介电层围绕；在第一栅极结构上和第一介电层上形成掩模结构，其中形成掩模结构包括在所述第一栅极结构的上表面上选择性地形成第一覆盖层；在第一覆盖层周围形成第二介电层。该方法还包括在掩模结构上形成图案化的介电层，图案化的介电层暴露掩模结构的一部分；去除掩模结构的暴露部分和掩模结构的暴露部分下面的第一介电层的一部分，从而形成凹槽，该凹槽暴露与第一栅极结构相邻的源极/漏极区；以及用导电材料填充凹槽。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一栅极结构，其中，所述第一栅极结构由第一介电层围绕；在所述第一栅极结构上和所述第一介电层上形成掩模结构，其中，形成所述掩模结构包括：在所述第一栅极结构的上表面上选择性地形成第一覆盖层；在所述第一覆盖层周围形成第二介电层；在所述掩模结构上形成图案化的介电层，所述图案化的介电层暴露所述掩模结构的部分；去除所述掩模结构的暴露部分和所述掩模结构的暴露部分下面的所述第一介电层的部分，从而形成凹槽，所述凹槽暴露与所述第一栅极结构相邻的源极/漏极区；以及用导电材料填充所述凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
