[发明专利]掺杂量子点及其制备方法有效
申请号: | 201811128679.7 | 申请日: | 2018-09-27 |
公开(公告)号: | CN109337689B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 周健海;余世荣;邵蕾 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军;糜婧 |
地址: | 310052 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了掺杂量子点及其制备方法,该方法适于将掺杂离子引入到第一量子点晶格内,形成掺杂量子点,以改善第一量子点的物理性能。掺杂量子点的制备方法包括以下步骤:S11.将用于合成第一量子点的阳离子前体与溶剂混合,得到第一溶液;S12.将用于合成第一量子点的阴离子前体加入上述第一溶液,阴离子前体与阳离子前体反应一段时间后得到第二溶液;S13.向上述第二溶液中加入掺杂离子的前体,量子点继续生长,得到掺杂量子点。本发明的上述量子点掺杂方法掺杂离子浓度可调范围大,既适用于量子点核的掺杂,同样也适用于核壳量子点中壳层的掺杂。采用本发明的方法制备的掺杂量子点,其荧光半峰宽窄,尺寸形貌单分散性好。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掺杂量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S11,将用于合成第一量子点的阳离子前体与溶剂混合,得到第一溶液;S12,将用于合成第一量子点的阴离子前体加入所述第一溶液,所述阴离子前体与所述阳离子前体反应一段时间后得到第二溶液;S13,向所述第二溶液中加入掺杂离子的前体,使量子点继续生长,得到掺杂量子点,其中所述掺杂离子的前体为掺杂阳离子前体和/或掺杂阴离子前体。
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