[发明专利]一种光强可调的发光器件的制备方法在审
| 申请号： | 201811124295.8 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109390439A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 赵士超;黄锋 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光强可调的发光器件的制备方法，该方法的先取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT。本发明制备的器件，具有通过磁场控制光强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化铟 正方体 制备 磁场方向 发光器件 光强可调 连接电源 磁场 输入直流电压 正极 正方体形状 负极 半导体块 磁场控制 单分子层 电磁线圈 电流方向 可变磁场 强度可调 硫化钨 上表面 体材料 旋涂法 右侧面 左侧面 边长 抛光 光强 涂覆 薄膜 切合 垂直 施加 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种光强可调的发光器件的制备方法，其特征在于，该方法的具体步骤是：步骤(1).取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；步骤(2).在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；步骤(3).碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；步骤(4).碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT。
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