[发明专利]一种光强可调的发光器件的制备方法

说明书

本发明公开了一种光强可调的发光器件的制备方法，该方法的先取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT。本发明制备的器件，具有通过磁场控制光强的优点。

技术领域

本发明属于器件制备领域，具体涉及一种光强可调的发光器件的制备方法。

背景技术

石墨烯、单分子层后过渡金属硫族化合物为代表的二维材料表现出优异的电学、光学性能，在纳米光电子器件领域具有广阔的应用前景。硫化钨单分子层材料是直接带隙半导体材料，在外场激发下能够发射出红色荧光，其发色机理部分来自带有电荷的激子。这部分带有电荷的激子形成、存在状态与密度受周围环境缺陷、带电电荷的影响。通过对周围环境中缺陷、带电电荷的密度的控制能够实现硫化钨单分子层薄膜材料发光强度的控制。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提出了一种光强可调的发光器件的制备方法。

本发明一种光强可调的发光器件的制备方法，该方法的具体步骤是：

步骤(1).取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；

步骤(2).在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；

步骤(3).碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；

步骤(4).碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT。

所述的硫化钨单分子层薄膜溶液采用市售产品。

所述的P型碲化铟半导体块体材料用硅半导体材料替代。

步骤(2)中的硫化钨单分子层薄膜采用化学气相沉积法制备的硫化钨单分子层通过适当转移方法转移至碲化铟表面。

本发明制备的光强可调的发光器件，通过调控产生磁场的电磁线圈的电流大小改变磁场强度，再通过磁场强度大小的改变来调控发光器件的发光强度。本发明制备的器件，具有通过磁场控制光强的优点。

附图说明

图1为本发明的光强可调的发光器件结构示意图。

具体实施方式

如图1所示；本发明一种光强可调的发光器件的制备方法，该方法的具体步骤是：

步骤(1).取P型碲化铟半导体块体材料，切合抛光成正方体形状，边长为5毫米；

步骤(2).在碲化铟正方体上表面通过旋涂法涂覆一层硫化钨单分子层薄膜；所述的硫化钨单分子层薄膜溶液采用市售产品。

步骤(3).碲化铟正方体左侧面连接电源正极，碲化铟正方体右侧面连接电源负极；输入直流电压24V，电流50mA；

步骤(4).碲化铟正方体前后侧面之间施加可变磁场，磁场方向为碲化铟正方体的反面朝向碲化铟正方体的正面；磁场方向与电流方向垂直，磁场通过电磁线圈产生，磁场强度可调变化范围为±150mT；通过调节磁场强度的大小实现发光强度的可控变化。