[发明专利]一种荧光材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。

主权项

1.一种荧光材料的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤是：步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位置；步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜；步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5～30分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料；步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中注入电荷，其中将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于下电极表面，有PMMA薄膜的面面相上电极，上电极采用针型电极，下电极采用平板电极，上下电极间距1.8cm，两电极间电压调至3千伏‑30千伏；电压保持时间为3min‑15min。