[发明专利]碳纳米薄膜/纳-微米网络复合薄膜的制备方法在审
申请号: | 201811116227.7 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109536917A | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 肖仕奇;周维亚;夏晓刚;王艳春;解思深 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/01;C23C16/04 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 薛峰;王雪梅 |
地址: | 100190 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了碳纳米薄膜/纳‑微米网络复合薄膜的制备方法,涉及纳米材料及其制备技术领域。通过化学气相裂解碳源,低温生长出的碳纳米薄膜填充于纳‑微米网络的孔隙内,且不覆盖纳‑微米网络表面,形成一复合薄膜。低温生长出的碳纳米薄膜填充了催化剂衬底上的纳‑微米网络的孔隙,经过分离可形成一自支撑的复合薄膜。本发明提供的制备方法包括碳源与纳‑微米网络原位接触法、原位非接触法、非原位低温传输法。本发明提供的制备方法简化了生产步骤,大幅降低了生产成本,具有工业化前景。 | ||
搜索关键词: | 碳纳米薄膜 制备 低温生长 复合薄膜 网络复合 薄膜 填充 制备技术领域 低温传输 纳米材料 生产步骤 网络表面 原位接触 网络 非接触 非原位 裂解碳 衬底 催化剂 生产成本 覆盖 支撑 | ||
【主权项】:
1.一种碳纳米薄膜/纳‑微米网络复合薄膜的制备方法,其特征在于,通过化学气相裂解碳源,低温生长出的碳纳米薄膜填充于纳‑微米网络的孔隙内,且不覆盖纳‑微米网络表面,形成一复合薄膜;所述低温为生长温度低于800℃。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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