[发明专利]一种半导体清洗腔陶瓷溶射层的制备方法

摘要

本发明涉及半导体加工技术领域。一种半导体清洗腔陶瓷溶射层的制备方法，包括如下步骤：步骤一，对半导体清洗腔进行喷砂处理；步骤二，对半导体清洗腔进行高压水洗；步骤三，酸刻蚀；将半导体清洗腔放置在HNO₃和HF混合而成的混合酸中蚀刻10‑40分钟，蚀刻掉部件表面棱角及疏松部位，混合酸中HNO₃和HF比例在10:1‑40:1范围内；步骤四，对半导体清洗腔进行干燥清洗；步骤五，将半导体清洗腔固定在一工装上；步骤六，使用六轴机械手夹持溶射喷枪对半导体清洗腔进行等离子溶射；步骤七，将半导体清洗腔进行水洗干燥。保证膜层吸附后溶射层不出现应力性脱落，避免溶射层脱落污染腔体。

主权项

1.一种半导体清洗腔陶瓷溶射层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，对半导体清洗腔进行喷砂处理：步骤二，对半导体清洗腔进行高压水洗：步骤三，酸刻蚀；将半导体清洗腔放置在HNO3和HF混合而成的混合酸中蚀刻10‑40分钟，蚀刻掉部件表面棱角及疏松部位，改善表面状态增加后续溶射层与基体的结合力，混合酸中HNO3和HF比例在10:1‑40:1范围内；步骤四，对半导体清洗腔进行干燥清洗；步骤五，将半导体清洗腔固定在一工装上；步骤六，使用六轴机械手夹持溶射喷枪对半导体清洗腔进行等离子溶射；等离子溶射过程中，半导体清洗腔进行旋转，六轴机械手夹持溶射喷枪，半导体清洗腔的内表面分隔成至少十段沿着径向从内至外排布的待溶射区域，六轴机械手调整移动速度与移动路径驱动溶射喷枪沿着径向从内至外依次对每个待溶射区域进行溶射，同一待溶射区域进行溶射时，六轴机械手的移动速度与移动路径相同；步骤七，将半导体清洗腔进行水洗干燥。