[发明专利]在锅炉内加工半导体晶圆的方法在审
| 申请号： | 201811087111.5 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109560013A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 罗健伦;涂纪诚;陈丰裕;苏元孝;黄奕齐;杨岳庭;赵书汉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开多个实施例提供一种在锅炉内加工多个半导体晶圆的方法。上述方法包括形成一薄膜在每一半导体晶圆上。上述方法还包括在形成薄膜的期间，控制锅炉的温度在一第一热模式下。在第一热模式下，锅炉中顺序排列的一第一端控温区、一中间控温区、及一第二端控温区的温度依序递增。上述方法还包括在形成薄膜之后，控制锅炉的温度在一第二热模式下。在第二热模式下，第一端控温区、中间控温区、及第二端控温区的温度依序递减。 | ||
| 搜索关键词： | 控温区 热模式 锅炉 半导体晶圆 薄膜 第一端 递减 加工 递增 | ||
【主权项】：
1.一种在一锅炉内加工多个半导体晶圆的方法，包括：形成一薄膜在每一所述多个半导体晶圆上；在形成该薄膜的期间，控制该锅炉的温度在一第一热模式下，其中在该第一热模式下，该锅炉中顺序排列的一第一端控温区、一中间控温区、及一第二端控温区的温度依序递增；在形成该薄膜之后，控制该锅炉的温度在一第二热模式下，其中在该第二热模式下，该第一端控温区、该中间控温区、及该第二端控温区的温度依序递减。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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