[发明专利]影像感测器及其形成方法有效
申请号: | 201811086495.9 | 申请日: | 2018-09-18 |
公开(公告)号: | CN110349983B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 陈裕仁;陈昶雄 | 申请(专利权)人: | 采钰科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明一些实施例,提供一种影像感测器。上述影像感测器包含具有一第一像素区及一第二像素区基底。上述影像感测器还包含设置于基底上的共振结构。上述共振结构包含设置于第一像素区及第二像素区上的第一金属层。上述共振结构亦包含设置于第一金属层及第一像素区上的第一绝缘层。第一绝缘层具有第一厚度。上述共振结构还包含设置于第一金属层及第二像素区上的第二绝缘层。第二绝缘层具有大于第一厚度的一第二厚度。此外,上述共振结构包含设置于第一绝缘层及第二绝缘层上的第二金属层。 | ||
搜索关键词: | 影像 感测器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测器,包括:一基底,具有一第一像素区及一第二像素区;以及一共振结构,设置于该基底上,且该共振结构包括:一第一金属层,设置于该第一像素区及该第二像素区上;一第一绝缘层,设置于该第一金属层及该第一像素区上,其中该第一绝缘层具有一第一厚度;一第二绝缘层,设置于该第一金属层及该第二像素区上,其中该第二绝缘层具有大于该第一厚度的一第二厚度;以及一第二金属层设置于该第一绝缘层及该第二绝缘层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于采钰科技股份有限公司,未经采钰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811086495.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的