[发明专利]荧光材料及其制备方法、光电子器件以及制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201811083223.3 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN109943332B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 韦拉马尼·拉金德伦;方牧怀;刘如熹;张合;吕侊懋;林晏申;康桀侑;盖伯瑞尔尼科洛·德·古斯曼;胡淑芬 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘会景;臧建明
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种荧光材料及其制备方法、光电子器件以及制造光电子器件的方法。该荧光材料具有如下的通式:La3(1‑x)Ga1‑yGe5(1‑z)O16:3xA3+,yCr3+,5zB4+,其中:x、y和z不同时为0;A代表Gd和Yb中的至少一种;B代表Sn、Nb和Ta中的至少一种。该荧光材料在蓝色可见光、紫色可见光或紫外光的激发下,其发射光谱位于红色可见光以及近红外区域,并较宽的反射光谱以及较高的辐射通量,从而能够应用于LED等光电子器件,以满足目前医学检测、食品成分分析、安全摄像机、虹膜/面部识别、虚拟现实、游戏笔记本和激光探测与测量等的应用需求。
搜索关键词: 荧光 材料 及其 制备 方法 光电子 器件 以及 制造
【主权项】:
1.一种荧光材料,其特征在于,其具有如下的通式:La3(1‑x)Ga1‑yGe5(1‑z)O16:3xA3+,yCr3+,5zB4+,其中:x、y和z不同时为0;A代表Gd和Yb中的至少一种;B代表Sn、Nb和Ta中的至少一种。
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