[发明专利]一种改善关键尺寸均匀性的方法

摘要

本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，属于半导体制造技术领域，包括：采用一第一光罩刻蚀隔离层，以去除位于金属格区域和连续区域的隔离层，并保留位于分立区域的隔离层，位于金属格区域的金属布线层构成金属格，位于分立区域的外围金属结构和隔离层构成台阶，第一光罩具有对应金属格区域和连续区域的第一刻蚀窗口；依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。本发明的有益效果：改善提高晶圆中心金属格边沿关键尺寸的均匀性，增大蚀刻的控制范围，提高产线的稳定性。

主权项

1.一种改善关键尺寸均匀性的方法，适用于晶粒生成步骤的金属格生成工序，通过金属格生成工序对预处理晶圆进行处理以得到目标晶圆，所述预处理晶圆包括晶圆、形成于所述晶圆上的金属布线层以及覆盖所述金属布线层的隔离层，所述预处理晶圆由多个晶粒区域构成，所述晶粒区域由金属格区域和环绕所述金属格区域的非金属格区域构成，所述非金属格区域由至少一个分立区域和一连续区域构成，所述金属格区域和所述分立区域之间由连续区域隔开，位于所述分立区域的所述金属布线层构成外围金属结构；其特征在于，所述方法包括：步骤S1、采用一第一光罩刻蚀所述隔离层，以去除位于所述金属格区域和连续区域的所述隔离层，并保留位于所述分立区域的所述隔离层，位于金属格区域的所述金属布线层构成金属格，位于所述分立区域的所述外围金属结构和所述隔离层构成台阶，所述第一光罩具有对应所述金属格区域和所述连续区域的第一刻蚀窗口；步骤S2、依次进行光刻处理和后续处理得到具有预设的关键尺寸的目标晶圆。