[发明专利]导电玻璃辅助退火制备高质量钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201811069977.3 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109326725A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 魏明灯;沈德立 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用导电玻璃（FTO）辅助退火制备较高结晶性、较大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜的方法，其是将钙钛矿前驱体薄膜直接贴覆在导电玻璃的导电面上，退火处理30min。采用所得钙钛矿薄膜组装制得的钙钛矿太阳能电池展现出优异的光电性能，其在100mW/cm2的光强、AM1.5条件下的最高光电转换效率为18.08%。该钙钛矿薄膜制备方法新颖，具有较高的电池光电转换效率，有良好的发展前景。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 导电玻璃 制备 光电转换效率 退火 钙钛矿 前驱体薄膜 太阳能电池 高结晶性 光电性能 退火处理 大晶粒 导电 光强 贴覆 组装 电池 | ||
【主权项】：
1. 一种导电玻璃辅助退火制备高质量钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：将钙钛矿前驱体薄膜直接贴覆在导电玻璃的导电面上，100 ℃退火处理30min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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