[发明专利]一种使用钌阻挡层的金属互连线路的化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 201811068429.9 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109300783A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 程洁;王同庆;谢李乐;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了图形片晶圆的抛光方法和适于对图形片晶圆中钌阻挡层进行抛光的抛光液。其中，抛光方法包括：(1)利用第一抛光液对所述金属层依次进行第一抛光处理和第二抛光处理；(2)利用第二抛光液对所述钌阻挡层进行第三抛光处理，得到抛光后图形片晶圆。该抛光方法适于对具有钌阻挡层互连结构的图形片晶圆进行化学机械抛光，实现晶圆中金属层、钌阻挡层和介质层中不同材料的选择性去除，获得良好的抛光后表面与界面质量，抛光后晶圆具有较高的全局和局部平坦化以及较低的表面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 阻挡层 片晶 抛光处理 抛光液 化学机械抛光 晶圆 选择性去除 表面缺陷 互连结构 金属互连 中金属层 后表面 介质层 金属层 平坦化 全局 | ||
【主权项】：
1.一种图形片晶圆的抛光方法，其特征在于，所述图形片晶圆包括：衬底、介质层、钌阻挡层和金属层，所述介质层、所述钌阻挡层和所述金属层设在所述衬底上，所述钌阻挡层设在所述介质层和所述金属层之间；所述抛光方法包括：(1)利用第一抛光液对所述金属层依次进行第一抛光处理和第二抛光处理；(2)利用第二抛光液对所述钌阻挡层进行第三抛光处理，得到抛光后图形片晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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