[发明专利]集成电路结构、集成电路布局的配置方法以及静态随机存取记忆体结构有效
申请号: | 201811066985.2 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109786371B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 葛贝夫·辛格;蔡舜麒;李智铭;林其谚;罗国鸿 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H10B10/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一集成电路结构包含半导体基材、主动区域、栅电极以及毗连接触。此主动区域朝向第一方向,且具有至少一个齿状部位,此齿状部位在半导体基材中沿着第二方向延伸。此栅电极覆盖在主动区域上,并沿着第二方向延伸。毗连接触具有位于栅电极上方的第一部位及位于主动区域上方的第二部位。毗连接触的第二部位的一部分着陆于齿状部位上。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 结构 布局 配置 方法 以及 静态 随机存取 记忆体 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路结构,其特征在于,包含:一半导体基材;一主动区域,朝向一第一方向,且包含至少一个齿状部位,该齿状部位在该半导体基材中沿一第二方向延伸;一栅电极,覆盖在该主动区域上,并沿该第二方向延伸;以及一毗连接触,具有位于该栅电极上方的一第一部位及位于该主动区域上方的一第二部位,其中该毗连接触的该第二部位的一部分着陆于该齿状部位上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的