[发明专利]可变电阻存储器件在审
| 申请号： | 201811066768.3 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109755269A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 朴正桓;金柱显;吴世忠;李同规;李正敏;洪京一 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种可变电阻存储器件包括：在衬底上的金属互连层；层间绝缘层，其在金属互连层上并限定用于暴露金属互连层的一部分的接触孔；阻挡金属层，其包括在接触孔内的多个子阻挡金属层；插塞金属层，其在阻挡金属层上并掩埋接触孔；以及可变电阻结构，其在阻挡金属层和插塞金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡金属层 金属互连层 接触孔 可变电阻存储器件 插塞金属 可变电阻结构 层间绝缘层 衬底 掩埋 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种可变电阻存储器件，包括：衬底；在所述衬底上的金属互连层；在所述金属互连层上的层间绝缘层，所述层间绝缘层限定接触孔，所述接触孔用于暴露所述金属互连层的一部分；在所述接触孔内包括多个子阻挡金属层的阻挡金属层；在所述阻挡金属层上的插塞金属层，所述插塞金属层掩埋所述接触孔；以及在所述阻挡金属层和所述插塞金属层上的可变电阻结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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