[发明专利]蚀刻气体混合物、图案形成方法和集成电路装置制造方法有效
| 申请号： | 201811058676.0 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109796981B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 金度勋;金兑炯;白钟敏;宋汉德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;圆益电子气体材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种蚀刻气体混合物、一种使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法，该蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，在该化合物中含有C‑S键。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气体 混合物 图案 形成 方法 集成电路 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻气体混合物，所述蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，所述C1‑C10有机硫化合物含有C‑S键。
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