[发明专利]蚀刻气体混合物、图案形成方法和集成电路装置制造方法

说明书

提供了一种蚀刻气体混合物、一种使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法，该蚀刻气体混合物包括：C1‑C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1‑C10有机硫化合物，在该化合物中含有C‑S键。

相关申请的交叉引用

通过引用将于2017年11月16日在韩国知识产权局提交的、名称为“Etching GasMixture,Method of Forming Pattern by Using the Same,and Method ofManufacturing Integrated Circuit Device by Using the Etching Gas Mixture(蚀刻气体混合物、通过使用蚀刻气体混合物形成图案的方法和通过使用蚀刻气体混合物制造集成电路装置的方法)”的第10-2017-0153318号韩国专利申请的全部内容并入本文。

技术领域

实施例涉及蚀刻气体混合物、通过使用该蚀刻气体混合物形成图案的方法和通过使用该蚀刻气体混合物制造集成电路(IC)装置的方法。

背景技术

随着电子技术的发展，可以快速地实现半导体装置的小型化，并且随着用于IC装置的设计规则减少，可以迅速地减小每个半导体装置的关键尺寸。

发明内容

实施例可以通过提供一种蚀刻气体混合物来实现，该蚀刻气体混合物包括：C1-C3全氟烷基次氟酸酯；以及C1-C10有机硫化合物，其含有C-S键。

实施例可以通过提供一种形成图案的方法来实现，该方法包括：使用根据一个实施例的蚀刻气体混合物来蚀刻薄层。

实施例可以通过提供一种形成图案的方法来实现，该方法包括：在薄层上形成蚀刻掩模图案，使得蚀刻掩模图案包括开口；使用从根据一个实施例的蚀刻气体混合物获得的等离子体经由开口蚀刻薄层的一部分，来形成覆盖蚀刻掩模图案的含硫钝化层；以及使用蚀刻掩模图案和含硫钝化层作为蚀刻掩模并使用从蚀刻气体混合物获得的等离子体，经由开口进一步蚀刻薄层来形成薄层图案。

实施例可以通过提供一种制造集成电路装置的方法来实现，该方法包括：在基底上形成结构，使得结构包括含硅薄层；在结构上形成光刻胶图案，使得光刻胶图案包括多个开口；通过使用从蚀刻气体混合物获得的等离子体经由多个开口蚀刻含硅薄层的一部分，来形成覆盖光刻胶图案的含硫钝化层，该蚀刻气体混合物包括C1-C3全氟烷基次氟酸酯和含有C-S键的C1-C10有机硫化合物；以及通过使用光刻胶图案和含硫钝化层作为蚀刻掩模并使用从蚀刻气体混合物获得的等离子体，经由多个开口进一步蚀刻含硅薄层来形成薄层图案。

附图说明

通过参考附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域的技术人员而言将变得显而易见，在附图中：

图1示出了根据一个实施例的形成图案的方法的流程图；

图2A至图2E示出了根据一个实施例的在形成图案的方法中的各阶段的剖视图；

图3示出了能够应用于形成图案的方法的等离子体蚀刻装置的示例性构造的图；

图4示出了根据一个实施例的制造IC装置的方法的流程图；

图5A、图6A、图7A、图8A和图9A示出了根据一个实施例的在制造IC装置的方法中的各阶段的平面图；

图5B、图6B、图7B、图8B和图9B分别示出了沿图5A、图6A、图7A、图8A和图9A的B-B'线截取的剖视图；

图10示出的图显示出在对Si₃N₄层进行等离子体蚀刻时通过在使用CF₃OF气体作为蚀刻气体的情况和使用CF₄气体作为蚀刻气体的情况中的每一情况下评估蚀刻速率所获得的结果；