[发明专利]通过DC偏压调制的颗粒产生抑制器有效
| 申请号： | 201811055730.6 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109166782B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 白宗薰;S·朴;陈兴隆;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/52;C23C16/509;C23C16/503 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC偏压电压，以最小化该通电的顶部电极与等离子体之间的电位差和/或该接地的底部电极与等离子体之间的电位差。最小化等离子体与电极之间的电位差减少颗粒产生，因为减小了这些电极的鞘区域中的离子的加速，且最小化离子与这些电极上的保护性涂覆层的碰撞力。因此，减少了基板表面上的颗粒产生。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 dc 偏压 调制 颗粒 产生 抑制器 | ||
【主权项】：
1.一种用于在处理腔室中处理基板的方法，包括：通过在工艺期间对第一电极施加射频(RF)功率来在所述处理腔室的所述第一电极和第二电极之间产生等离子体，其中所述第一电极和所述第二电极设置在具有基板支撑表面的基板支撑件上方并且与所述基板支撑件相对；以及在所述工艺期间对所述第一电极施加恒定为零的DC偏压电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811055730.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
