[发明专利]通过DC偏压调制的颗粒产生抑制器

权利要求书

1.一种用于在处理腔室中处理基板的方法，包括：

通过对第一电极施加射频(RF)功率来在所述第一电极和第二电极之间产生等离子体，其中所述第一电极和所述第二电极设置在具有基板支撑表面的基板支撑件上方并且与所述基板支撑件相对；

监测在所述第一电极处产生的DC偏压电压以获得DC偏压反馈信号；以及

通过在基板处理工艺期间利用恒定为零的DC偏压电压操作所述第一电极，基于所述DC偏压反馈信号来控制所述第一电极处的DC偏压电压极性。

2.如权利要求1所述的方法，其中利用恒定为零的DC偏压电压操作所述第一电极是通过对所述第一电极施加零DC偏压电压来执行的。

3.如权利要求1所述的方法，其中利用恒定为零的DC偏压电压操作所述第一电极是通过将DC偏压电压从所述第一电极引导至地来执行的。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一电极和所述第二电极通过具有多个通孔的气体分配板与所述基板支撑件分隔。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述射频功率从0W至3000W。