[发明专利]用作真空吸气剂的晶片级封装焊料阻挡物在审
| 申请号： | 201811055306.1 | 申请日： | 2014-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN109231160A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 罗兰德·W·古奇;布欧·Q·迪普;亚当·M·肯尼迪;斯蒂芬·H·布莱克;托马斯·A·科西安 | 申请（专利权）人： | 雷神公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;H01L21/52;H01L21/768;H01L23/10;H01L23/26;H01L23/498;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件及其制造方法。一种或多种方法可包括提供盖晶片和器件晶片，该盖晶片具有腔体和围绕腔体的表面，该器件晶片具有检测器器件和基准器件。在某些示例中，钛材料的焊料阻挡层可沉积到盖晶片的表面上。还可活化钛材料的焊料阻挡层以用作吸气剂。在各种示例中，盖晶片和器件晶片可使用焊料接合到一起，钛材料的焊料阻挡层可防止焊料接触盖晶片的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 盖晶片 焊料阻挡层 器件晶片 钛材料 焊料 腔体 检测器器件 晶片级封装 电子器件 焊料接触 基准器件 真空吸气 接合 吸气剂 阻挡物 沉积 活化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子器件的方法，包括：提供第一基板，所述第一基板具有至少一个腔体和围绕所述至少一个腔体的表面；在所述第一基板的表面上沉积钛材料的焊料阻挡层；在所述第一基板的所述表面的一部分上形成第一密封结构，以形成围绕所述至少一个腔体的周界的环，其中所述钛材料的焊料阻挡层形成位于所述第一密封结构周围的周界，以使得所述钛材料的焊料阻挡层延伸到所述第一密封结构而不延伸到所述第一密封结构中，所述钛材料的焊料阻挡层形成的所述周界限定所述第一基板的所述表面的、所述第一密封结构设置在其上的所述部分；活化所述钛材料的焊料阻挡层以用作吸气剂；提供第二基板，所述第二基板包括附连到其的至少一个器件和第二密封结构，所述第二密封结构形成围绕所述至少一个器件的周界的环；将所述第一密封结构对准到所述第二密封结构，使得所述第一基板的所述至少一个腔体位于所述至少一个器件上方；以及使用焊料将所述第一基板接合到所述第二基板，其中所述焊料阻挡层防止所述焊料在接合期间接触所述第一基板。
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