[发明专利]用作真空吸气剂的晶片级封装焊料阻挡物

权利要求书

1.一种制造电子器件的方法，包括：

提供第一基板，所述第一基板具有至少一个腔体和围绕所述至少一个腔体的表面；

在所述第一基板的表面上沉积钛材料的焊料阻挡层；

在所述第一基板的所述表面的一部分上形成第一密封结构，以形成围绕所述至少一个腔体的周界的环，其中所述钛材料的焊料阻挡层形成位于所述第一密封结构周围的周界，以使得所述钛材料的焊料阻挡层延伸到所述第一密封结构而不延伸到所述第一密封结构中，所述钛材料的焊料阻挡层形成的所述周界限定所述第一基板的所述表面的、所述第一密封结构设置在其上的所述部分；

活化所述钛材料的焊料阻挡层以用作吸气剂；

提供第二基板，所述第二基板包括附连到其的至少一个器件和第二密封结构，所述第二密封结构形成围绕所述至少一个器件的周界的环；

将所述第一密封结构对准到所述第二密封结构，使得所述第一基板的所述至少一个腔体位于所述至少一个器件上方；以及

使用焊料将所述第一基板接合到所述第二基板，其中所述焊料阻挡层防止所述焊料在接合期间接触所述第一基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，活化包括在真空环境中将所述钛材料的焊料阻挡层加热到200℃到500℃范围内的温度，持续10分钟到120分钟范围内的时间段。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述钛材料的焊料阻挡层包括沉积所述焊料阻挡层，使得钛材料的厚度在1000埃到10,000埃的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一密封结构对准到所述第二密封结构之后，执行对钛材料的至少一个焊料阻挡层的活化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，与将所述第一基板接合到所述第二基板同时地执行对所述钛材料的焊料阻挡层的活化。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第一基板的表面上沉积至少一层阻挡材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在沉积所述钛材料的焊料阻挡层之前执行所述至少一层阻挡材料的沉积。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述至少一层阻挡材料包括钛钨。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述钛材料的焊料阻挡层比所述至少一层阻挡材料更具多孔性。

10.一种封装电子器件，包括：

第一基板，所述第一基板具有形成在其上的至少一个腔体和围绕所述至少一个腔体的第一表面；

第二基板，所述第二基板包括附连到其的至少一个器件；

第一密封结构，设置在所述第一基板的一部分上；

第二密封结构，设置在所述第二基板上并且利用焊料接合到所述第一密封结构，使得所述第一表面朝向所述第二基板并且所述至少一个腔体位于所述至少一个器件上方；以及

焊料阻挡物，包括至少一层钛材料，所述至少一层钛材料设置在所述第一基板的第一表面上并且在所述第一密封结构的周界周围，以使得所述至少一层钛材料延伸到所述第一密封结构而不延伸到所述第一密封结构中，所述第一密封结构的所述周界限定所述第一基板的、所述第一密封结构设置在其上的所述部分，所述至少一层钛材料已被活化以用作吸气剂。

11.根据权利要求10所述的封装电子器件，其中，所述焊料阻挡物还包括位于所述腔体的周界周围的至少一层阻挡材料。

12.根据权利要求11所述的封装电子器件，其中，所述至少一层钛材料设置在所述至少一层阻挡材料上并且在所述第一密封结构的所述周界周围。

13.根据权利要求12所述的封装电子器件，其中，所述至少一层阻挡材料包括钛钨。