[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201811050932.1 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109148452B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吕相林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层；对所述堆叠结构和材料层进行退火处理；对所述材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除所述沟道孔底部的材料层。所述半导体结构的形成方法能够避免在沟道孔内形成杂质残留。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层；对所述堆叠结构和材料层进行退火处理；对所述材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除所述沟道孔底部的材料层。
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