[发明专利]一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法有效
| 申请号： | 201811043936.7 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109243971B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周华芳 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法，依次对器件介质膜进行光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、去残胶及水洗工艺。通过光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、去胶、去残胶及水洗工艺，降低了二氧化硅或氮化硅的蚀刻角度，即使在薄金属层沉积情况下也实现了良好的金属连接，避免金属断层及空洞的出现，不仅大大提高器件的可靠性，也节约了金属的用量和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 介质 角度 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件介质膜低角度蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：A1、光刻工艺：采用光刻胶在器件介质膜上涂胶，通过前烘烤、曝光、显影及后烘烤得到光刻图形；A2、湿法蚀刻工艺：在光刻图形位置，对介质膜进行一次蚀刻，采用蚀刻溶液蚀刻T1时间；A3、干法蚀刻工艺：在光刻图形位置，对介质膜进行二次蚀刻，采用蚀刻气体一蚀刻T2时间；A4、去胶工艺：采用NMP溶液冲洗工艺去除光刻胶，再用IPA溶液冲洗掉NMP溶液并烘干器件；A5、Descum工艺：对介质膜表面进行蚀刻，采用蚀刻气体二蚀刻T3时间；A6、水洗工艺：采用水洗溶液对器件进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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