[发明专利]基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法在审
申请号: | 201811036994.7 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN109216497A | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 魏钟鸣;周子琦;胡伟达;龙明生;王晓亭;文宏玉;李京波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李坤 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法,片上光探测器自下而上包括:重掺杂电极、薄层绝缘层、二维薄层材料和两个金属电极;二维薄层材料嵌设在薄层绝缘层和两个金属电极间;二维薄层材料为具有低面内对称性的二维材料。本公开光探测器使用的是全新的二维材料,由于材料本身的各向异性等特点,使得光探测器可以探测多角度的线偏振光,应用范围更加广泛,从根本上改变了探测器的性质。 | ||
搜索关键词: | 探测器 二维薄层 上光 绝缘层 各向异性材料 二维材料 光探测器 金属电极 薄层 二维 线偏振光 重掺杂 电极 低面 制造 探测 应用 | ||
【主权项】:
1.一种基于二维各向异性材料的片上光探测器,包括:重掺杂电极、形成于重掺杂电极上的薄层绝缘层、形成于薄层绝缘层上的二维薄层材料和两个金属电极;所述二维薄层材料嵌设在所述薄层绝缘层和两个金属电极间;所述二维薄层材料为具有各向异性的二维材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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