[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811036921.8 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN109801966A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄士文;柯忠廷;柯宏宪;林嘉慧;黄泰钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑特强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体结构与其形成方法。半导体结构包括栅极结构、栅极间隔物、源极/漏极结构、接点结构、粘着层、与阻障层。栅极结构位于鳍状结构上。栅极间隔物位于鳍状结构上与栅极结构的侧壁表面上。源极/漏极结构位于鳍状结构中并与栅极间隔物相邻。接点结构位于源极/漏极结构上。粘着层覆盖接点结构的下表面与侧壁表面。阻障层围绕接点结构的侧壁表面。粘着层的下表面暴露至阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 接点结构 半导体结构 栅极间隔物 源极/漏极 侧壁表面 栅极结构 鳍状结构 粘着层 阻障层 下表面 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一栅极结构，位于一鳍状结构上；一栅极间隔物，位于该鳍状结构上与该栅极结构的侧壁表面上；一源极/漏极结构，位于该鳍状结构中并与该栅极间隔物相邻；一接点结构，位于该源极/漏极结构上；一粘着层，覆盖该接点结构的下表面与侧壁表面；以及一阻障层，围绕该接点结构的侧壁表面，其中该粘着层的下表面暴露至该阻障层。
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