[发明专利]像素结构及其制造方法、图像传感器

摘要

本公开涉及一种像素结构及其制造方法、图像传感器。所述像素结构包括光电二极管，所述光电二极管上依次沉积有栅氧化层(19)和传输管栅极(13)，在所述栅氧化层(19)上、所述光电二极管靠近所述传输管栅极(13)的一侧还沉积有附加多晶硅(15)，并且从所述附加多晶硅(15)引出电极。这样，该电极加高电压时可以在光电二极管内该附加多晶硅的下方寄生出一个电容。在曝光的时候，电子优先储存到该电容中，使得电子的转移时间减小，从而降低图像拖影。