[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811024343.6 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109216462A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市福来过科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市罗湖区东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其包括衬底、形成在衬底的阱区、间隔形成在阱区内的第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层、分别形成在第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层上的补偿层、形成在补偿层上并分别与第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层的上表面相连的的第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层、形成在第一氧化层与第二氧化层之间的第一掺杂区、形成在第二氧化层与第三氧化层之间的第二掺杂区、形成在第一掺杂区上的薄氧化层、形成在薄氧化层上及部分位于第二氧化层上的多晶硅层，第一掺杂区与补偿层及第一扩散层电连接，第二掺杂区与补偿层、第二扩散层及第三扩散层电连接。本发明还提供半导体器件的制备方法，提高了击穿电压和工作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散层 氧化层 掺杂区 补偿层 半导体器件 薄氧化层 电连接 衬底 制备 多晶硅层 工作性能 击穿电压 上表面 阱区 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底的第二导电类型的阱区、间隔形成在所述阱区内的第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层、分别形成在所述第一扩散层、所述第二扩散层及所述第三扩散层上的第一导电类型的补偿层、形成在所述补偿层上并分别与所述第一扩散层、第二扩散层及第三扩散层的上表面相连的的第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层、形成在所述第一氧化层与所述第二氧化层之间的第一导电类型的第一掺杂区、形成在所述第二氧化层与所述第三氧化层之间的第一导电类型的第二掺杂区、形成在所述第一掺杂区及所述阱区的上表面与所述第一氧化层及所述第二氧化层相连的薄氧化层、形成在所述阱区的上方对应的薄氧化层上及部分位于所述第二氧化层上的多晶硅层，所述第一掺杂区与所述补偿层及所述第一扩散层电连接，所述第二掺杂区与所述补偿层、第二扩散层及第三扩散层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市福来过科技有限公司，未经深圳市福来过科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811024343.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
