[发明专利]一种基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合的方法有效
| 申请号： | 201811020083.5 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109243989B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨文华;周成功;周洁 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L23/492 |
| 代理公司： | 34101 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯浆料的硅‑硅低温键合的方法，其是以石墨烯复合油性导电浆料与PVDF粘结剂的混合物作为键合材料，在低温下实现两硅基衬底的键合。本发明的工艺简单、可靠性好，且工艺成本较低，具有高度产业利用的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 低温键合 浆料 导电浆料 工艺成本 键合材料 混合物 油性 硅基衬 键合 复合 | ||
【主权项】：
1.一种基于石墨烯浆料的硅-硅低温键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)将石墨烯复合油性导电浆料与PVDF粘结剂混合均匀，获得键合材料；/n(2)在待键合的两片硅基衬底的待键合表面涂抹所述键合材料；然后以涂有键合材料的待键合面相对，将两硅基衬底对齐放入键合装置的上、下样品台上，形成由第一待键合硅基衬底-第一键合材料层-第二键合材料层-第二待键合硅基衬底组装成的待键合组件；/n(3)将所述待键合组件在保护气体中进行低温烧结，使烧结后的键合材料层分别吸附在相应的硅基衬底上；然后再在保护气体中加压，进行低温键合，使第一键合材料层和第二键合材料层中的C原子相互扩散，形成C中间层，并在PVDF粘结剂的协同作用下，实现两片硅基衬底的键合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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