[发明专利]一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器在审
| 申请号： | 201811002938.1 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109273554A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;王倩倩;单亚兵;杜琛;徐浩然 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/028 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐颖 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，采用磷化铟为衬底材料，依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层；在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯层，在氧化硅介质层上单层石墨烯层两侧生长源电极和漏电极，在磷化铟衬底下生长背栅电极。单层石墨烯具有超高的电导率与迁移率；另一方面在p‑n结内建电场作用下，光生载流子的漂移运动使得源漏电流大大增加，极大增强了探测器探测能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化硅介质 铟镓砷材料 内建电场 铟镓砷探测器 单层石墨烯 石墨烯基 磷化铟 电导率 光生载流子 背栅电极 沉积单层 衬底材料 漂移运动 石墨烯层 向上生长 源漏电流 中央区域 电极 漏电极 迁移率 生长源 探测器 本征 衬底 探测 生长 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，采用磷化铟为衬底材料，依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层；在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯层，在氧化硅介质层上单层石墨烯层两侧生长源电极和漏电极，在磷化铟衬底下生长背栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海电力学院，未经上海电力学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811002938.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
