[发明专利]一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器在审
| 申请号： | 201811002938.1 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109273554A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;王倩倩;单亚兵;杜琛;徐浩然 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/028 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐颖 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅介质 铟镓砷材料 内建电场 铟镓砷探测器 单层石墨烯 石墨烯基 磷化铟 电导率 光生载流子 背栅电极 沉积单层 衬底材料 漂移运动 石墨烯层 向上生长 源漏电流 中央区域 电极 漏电极 迁移率 生长源 探测器 本征 衬底 探测 生长 | ||
1.一种石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，采用磷化铟为衬底材料，依次在衬底上向上生长一层p掺杂的铟镓砷材料层、一层本征铟镓砷材料层、一层n掺杂的铟镓砷材料层、一层氧化硅介质层；在氧化硅介质层中央区域转移或沉积单层石墨烯层，在氧化硅介质层上单层石墨烯层两侧生长源电极和漏电极，在磷化铟衬底下生长背栅电极。
2.根据权利要求1所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述的磷化铟衬底材料厚度为330μm～370μm。
3.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述p掺杂的铟镓砷材料层厚度为0.95μm，其中掺Zn浓度为4×1018cm-3。
4.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述本征铟镓砷材料层厚度为1.5μm。
5.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述n掺杂的铟镓砷材料层厚度为1μm，掺Si浓度为2×1018cm-3。
6.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述氧化硅介质层厚度为90nm～300nm。
7.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述单层石墨烯层厚度在1nm以下。
8.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述源电极和漏电极为与单层石墨烯层形成良好的欧姆接触的金属电极。
9.根据权利要求2所述石墨烯基内建电场铟镓砷探测器，其特征在于，所述背栅电极为与磷化铟衬底之间形成良好的欧姆接触的金属电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
