[发明专利]一种基于SrO阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810993822.2 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109273597B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 谭婷婷;杜怡行;曹爱;查钢强;陈勇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 刘新琼 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阻变存储器及其制备方法，属于信息存储器件技术领域。该阻变存储器金属‑绝缘体‑金属(MIM)三明治结构，该MIM结构的顶电极与底电极分别为金属电极，金属电极之间的阻变介质为非晶氧化锶薄膜。本发明采用氧化锶薄膜作为阻变材料，可制备出低功耗、高存储窗口和稳定性较好的阻变存储器，从而具有多值存储和高密度存储的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sro 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SrO阻变存储器，其特征在于采用MIM结构，MIM结构的顶电极和底电极分别为金属电极，中间介质层为非晶氧化锶薄膜；其中，顶电极为Sn‑Cu合金，厚度在200‑500nm；底电极为Pt，Pt的厚度在100‑200nm；所述的氧化锶非晶薄膜厚度为20‑60nm。
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