[发明专利]一种基于SrO阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于SrO阻变存储器，其特征在于采用MIM结构，MIM结构的顶电极和底电极分别为金属电极，中间介质层为非晶氧化锶薄膜；其中，顶电极为Sn-Cu合金，厚度在200-500nm；底电极为Pt，Pt的厚度在100-200nm；所述的非晶氧化锶薄膜厚度为20-60nm；

其中,在中间介质层与顶电极之间设有保护层，保护层为金属Pt，厚度在10-50nm。

2.根据权利要求1所述的一种基于SrO阻变存储器，其特征在于所述的Sn-Cu合金包含99.7％的Sn，0.3％的Cu。

3.一种权利要求1-2任意一项所述的基于SrO阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤如下：

步骤1：在依次经过去离子水、酒精、丙酮预处理过的Pt衬底(1)上沉积SrO薄膜(2)，厚度在20nm-60nm之间；沉积采用JGP560C型超高真空多功能磁控溅射设备，沉积真空度小于1×10-4Pa，沉积速率在2nm/min和10nm/min之间；

步骤2：在真空度小于1×10-4Pa的情况下，在制备的SrO薄膜(2)上沉积一层Pt层(3)作为保护层，厚度在10nm-50nm之间；

步骤3：利用真空蒸镀设备蒸镀锡铜合金电极(4)，厚度在200nm和500nm之间，制备电极的过程中，通过孔洞直径为0.3mm的掩膜版获得所需电极的图形。