[发明专利]纳米管随机存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810993483.8 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110875426B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;冯志明;肖韦东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米管随机存储器及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底表面具有第一介质层，且所述第一介质层内具有开口；在所述开口内形成底部电极，所述底部电极表面低于所述第一介质层表面；形成纳米管结构和顶部电极，所述纳米管结构位于底部电极上以及底部电极周围的部分第一介质层表面，所述顶部电极位于纳米管结构表面。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 随机 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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