[发明专利]一种LIGBT型高压ESD保护器件

摘要

本发明揭示了一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括堆叠设置的衬底层及埋氧层，埋氧层上方覆盖有漂移层，漂移层的上端设有漏极阱与源极阱，漂移层的上端面覆盖设置有多晶硅栅极，漂移层的上端形成有掺杂区，掺杂区位于漏极阱与源极阱之间，漏极阱的上端形成有漏极重掺杂区，源极阱的上端分别形成有第一源极重掺杂区、第二源极重掺杂区以及第三源极重掺杂区，漂移层的上端面还覆盖有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；漏极重掺杂区与漏极外接导线相连，掺杂区与第三源极重掺杂区导线相连，多晶硅栅极、第一源极重掺杂区以及第二源极重掺杂区导线相连接地。本发明能够显著降低器件的触发电压、提高维持电压，满足器件的ESD防护要求。

主权项

1.一种LIGBT型高压ESD保护器件，包括衬底层（101）及埋氧层（102），所述埋氧层（102）覆盖于所述衬底层（101）上方，其特征在于：所述埋氧层（102）上方覆盖设置有漂移层（103），所述漂移层（103）的上端分别设置有相分离的漏极阱（104）与源极阱（105），所述漂移层（103）的上端面覆盖设置有多晶硅栅极（106），所述漂移层（103）的上端形成有掺杂区（108），所述掺杂区（108）位于所述漏极阱（104）与所述源极阱（105）之间，所述漏极阱（104）的上端形成有漏极重掺杂区（107），所述源极阱（105）的上端分别形成有第一源极重掺杂区（109）、第二源极重掺杂区（110）以及第三源极重掺杂区（111），所述漂移层（103）的上端面还覆盖设置有多个用于不同掺杂区域间隔离的场氧隔离区；所述漏极重掺杂区（107）与漏极外接导线相连，所述掺杂区（108）与第三源极重掺杂区（111）二者导线相连，所述多晶硅栅极（106）、第一源极重掺杂区（109）以及第二源极重掺杂区（110）三者导线相连接地。