[发明专利]在制造半导体器件过程中从硅-锗/硅叠层中选择性地去除硅-锗合金的蚀刻溶液有效
| 申请号： | 201810982894.7 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109423291B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 刘文达;李翊嘉;A·J·亚当齐克 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐志明 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述了一种蚀刻溶液，其包含水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；和任选地表面活性剂。该组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有多晶硅和硅‑锗材料的微电子器件相对于多晶硅而选择性地去除硅‑锗。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 过程 硅叠层中 选择性 去除 合金 蚀刻 溶液 | ||
【主权项】：
1.一种适合于从微电子器件中相对于硅而选择性地去除硅‑锗的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：水；氧化剂；水混溶性有机溶剂；氟离子源；和任选地，表面活性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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