[发明专利]制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板有效
申请号: | 201810972645.X | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109300848B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板,该方法的步骤是:在层间介质层上涂布光刻胶材料,并采用半色调光罩对光刻胶材料进行图案化处理,获得高度不同的第一平坦层,且使得第一平坦层对应于显示区的部分薄化;本发明通过半色调光罩对光刻胶材料进行图像化处理,使得第二平坦子层实现偏薄化,降低了第二平坦子层的厚度,缩小了第二源漏金属层与中性面的距离,当进行弯折时,有利于第二源漏金属层的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 制作 柔性 阵列 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种制作柔性阵列基板的方法,所述柔性阵列基板包括衬底结构层,所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区,其特征在于,所述制作柔性阵列基板的方法步骤包括:S1:在玻璃基板上形成所述衬底结构层;S2:在所述衬底结构层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和第一源漏金属层;S3:在所述第一源漏金属层上形成层间介质层,并在所述弯折区形成第一接触孔;S4:在所述层间介质层上涂布光刻胶材料;S5:采用半色调光罩对所述光刻胶材料进行图案化处理,获得高度不同的第一平坦层,所述第一平坦层填充所述第一接触孔,且使得所述第一平坦层对应于所述第一接触孔所在区域的部分薄化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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