[发明专利]制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板有效
申请号: | 201810972645.X | 申请日: | 2018-08-24 |
公开(公告)号: | CN109300848B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 柔性 阵列 方法 以及 | ||
本发明提供一种制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板,该方法的步骤是:在层间介质层上涂布光刻胶材料,并采用半色调光罩对光刻胶材料进行图案化处理,获得高度不同的第一平坦层,且使得第一平坦层对应于显示区的部分薄化;本发明通过半色调光罩对光刻胶材料进行图像化处理,使得第二平坦子层实现偏薄化,降低了第二平坦子层的厚度,缩小了第二源漏金属层与中性面的距离,当进行弯折时,有利于第二源漏金属层的稳定性。
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,特别涉及一种制作柔性阵列基板的方法以及柔性阵列基板。
背景技术
为了实现小尺寸手机的窄边框设计,使得手机具有更大的屏占比,业界尝试将边框区减小,针对减小边框宽度,最有效的办法是基板弯折技术,将屏幕的一部分走线区及驱动IC及FPC一起弯折到屏幕的背面,可有效减小下边框区域的宽度,若试图将边框区继续减小,就需要克服更多的问题,比如边框区减小,伴随着VSS,VDD走线区域变窄,IR drop(IR压降)会随之增加,面板均匀性变差。
为了克服此现象,主流方向是采用双层网状的SD(source drain)结构,此种设计可有效降低IR drop,改善面板均匀性。
如图1所示,柔性阵列基板包括柔性衬底111'、设置在柔性衬底111'上的阻挡层112'、设置在阻挡层112'上的缓冲层113'、设置在缓冲层113'的有源层12'、设置在有源层12'上第一绝缘层13'、设置在第一绝缘层13'上的栅极金属层14'、设置在栅极金属层14'上的第二绝缘层15'、设置在所述第二绝缘层15'的第一源漏金属层16'、设置在第一源漏金属层16'上的层间介质层17'、设置在层间介质层17'上的第一平坦层18'和设置在第一平坦层上18'的第二源漏金属层19';柔性衬底111'包括显示区1a'和弯折区1b'。
其中,第一源漏金属层16'和第二源漏金属层19'形成双层网状结构,同时又能满足和栅极金属层14'形成存储电容。
但是,由于第一平坦层18'厚度较大,因此位于弯折区第二源漏金属层19'以下的有机层较厚,导致第二源漏金属层19'远离阵列基板的中性面,不利于弯折区弯折的稳定性。其中,中性面为弯折区进行弯曲时,受到的挤压力和拉伸力相等的平面。
发明内容
本发明实施例提供一种制作柔性阵列基板的方法和柔性阵列基板;以解决了现有的柔性阵列基板中第一源漏金属层和第二源漏金属层之间的第一平坦层厚度较大,不利于弯折区弯折的稳定性的技术问题。
本发明实施例提供一种制作柔性阵列基板的方法,所述柔性阵列基板包括衬底结构层,所述衬底结构层包括用于显示图像的显示区和位于所述显示区一侧的用于弯折的弯折区,所述制作柔性阵列基板的方法步骤包括:
S1:在玻璃基板上形成所述衬底结构层;
S2:在所述衬底结构层上依次形成有源层、第一绝缘层、栅极金属层、第二绝缘层和第一源漏金属层;
S3:在所述第一源漏金属层上形成层间介质层,并在所述弯折区形成第一接触孔;
S4:在所述层间介质层上涂布光刻胶材料;
S5:采用半色调光罩对所述光刻胶材料进行图案化处理,获得高度不同的第一平坦层,所述第一平坦层填充所述第一接触孔,且使得所述第一平坦层对应于所述第一接触孔所在区域的部分薄化。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中,所述第一平坦层包括对应于所述显示区的第一平坦子层和对应于所述第一接触孔的第二平坦子层;
所述第一平坦子层的高度大于所述第二平坦子层的高度。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中,所述层间介质层的厚度介于之间。
在本发明的制作柔性阵列基板的方法中,所述步骤S3包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造