[发明专利]智能二极管结构及集成电路

摘要

本发明描述了用于各种智能二极管的示例性配置和布置。本发明的智能二极管可以实现为静电放电保护电路的部分，以保护其他电子电路免受由静电放电事件导致的电流的影响。静电放电保护电路耗散由静电放电事件产生的一个或多个不期望的瞬态信号。在一些情况下，一些载流子电子和/或载流子空穴可以从本发明的智能二极管流入到半导体衬底中。本文描述的示例性配置和布置包括设计为收集这些载流子电子和/或载流子空穴的各种区域，以降低这些载流子电子和/或载流子空穴导致其他电子电路的闭锁的可能性。本发明的实施例还提供了集成电路。

主权项

1.一种二极管，包括：多个二极管指状区，所述多个二极管指状区中的每个二极管指状区包括：第一类型材料的第一阱区，所述第一类型材料的第一指状区，位于所述第一阱区中，以及与所述第一类型材料不同的第二类型材料的第二指状区和第三指状区，所述第二指状区和所述第三指状区位于所述第一阱区内并且布置为与所述第一指状区相邻；以及与所述多个二极管指状区交替的多个带状区，所述多个带状区中的每个带状区包括：所述第二类型材料的第二阱区，所述第二类型材料的多个吸收区，位于所述第二阱区中，以及与所述多个吸收区交替的第一多个浅沟槽隔离(STI)区，所述第一多个浅沟槽隔离区位于所述第二阱区内。