[发明专利]一种SiC MOSFET的驱动电路在审
| 申请号： | 201810968959.2 | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109327212A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 赵雪峰;任强;席小鹭 | 申请（专利权）人： | 湖南强军科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京旭路知识产权代理有限公司 11567 | 代理人： | 王莹;董媛 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET的驱动电路。该电路包括开关电源模块、逻辑控制模块和驱动及保护模块；开关电源模块中将开关频率产生电路和反馈电路内置于驱动芯片U1中，开关电源模块用于接收外部输入的电压，并输出SiC MOSFET驱动所需的非常规电压；逻辑控制模块用于完成对所述开关电源模块中驱动芯片U1的设置及状态的监测；驱动及保护模块用于完成SiC MOSFET的驱动，以及对驱动芯片U1和SiC MOSFET的保护。该电路将开关频率产生电路和反馈电路内置于驱动芯片中，分布干扰大大降低，电路结构简单，从而降低了成本，提高了可靠性，抑制了SiC MOSFET的误开通。 | ||
| 搜索关键词： | 开关电源模块 驱动芯片 逻辑控制模块 保护模块 产生电路 反馈电路 开关频率 驱动电路 驱动 电路 电路结构 电路控制 输出 监测 开通 外部 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET的驱动电路，其特征在于，包括开关电源模块、逻辑控制模块和驱动及保护模块；所述开关电源模块中将开关频率产生电路和反馈电路内置于驱动芯片U1中，所述开关电源模块用于接收外部输入的电压，通过开关变压器和开关管的动作，输出SiC MOSFET驱动所需的非常规电压；所述逻辑控制模块用于完成对所述开关电源模块中驱动芯片U1的设置及状态的监测；所述驱动及保护模块用于完成SiC MOSFET的驱动，以及对驱动芯片U1和SiC MOSFET的保护。
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