[发明专利]存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201810966837.X | 申请日： | 2018-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN109935262B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 白侊虎;李宗勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器装置及其操作方法。一种操作具有改进的选择晶体管的阈值电压分布的存储器装置的方法，该存储器装置包括多个单元串，所述多个单元串各自包括在垂直方向上层叠到基板的多个源极选择晶体管、多个存储器单元和多个漏极选择晶体管，该方法包括以下步骤：执行使用固定的编程电压对所述多个源极选择晶体管当中的与和公共源极线相邻的第一源极选择线联接的至少一个源极选择晶体管进行编程的第一编程操作；以及在完成所述第一编程操作之后，执行使用递增步进脉冲编程(ISPP)方法对所述多个源极选择晶体管当中的与和所述第一源极选择线相邻的第二源极选择线联接的至少一个源极选择晶体管进行编程的第二编程操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作包括多个单元串的存储器装置的方法，所述多个单元串各自包括在垂直方向上层叠到基板的多个源极选择晶体管、多个存储器单元和多个漏极选择晶体管，该方法包括以下步骤：对所述多个漏极选择晶体管进行编程；使用固定的编程电压对所述多个源极选择晶体管当中的一个或更多个第一源极选择晶体管进行编程；以及使用增量步进脉冲编程ISPP方法对至少一个第二源极选择晶体管进行编程，其中，所述至少一个第二源极选择晶体管是除了所述一个或更多个第一源极选择晶体管之外的剩余的源极选择晶体管。
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